3-11 Damage Evolution and Track Formation in InP and GaN During Swift Heavy Ion Irradiation

来源 :中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xianglongke2000

【摘要】

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InP crystals and GaN films were irradiated by 86Kr and 209Bi ions of initial kinetic energy 25 and 9.5 MeV/u, respectively. The ion fluence ranging from 51010 t

【作者】

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Hu Peipei Liu Jie Zhang Shengx

【机构】

：

不详

【出处】

：

中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版

【发表日期】

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2015年1期

【关键词】

：

HEAVY ION IRRADIATION

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InP crystals and GaN films were irradiated by 86Kr and 209Bi ions of initial kinetic energy 25 and 9.5 MeV/u, respectively. The ion fluence ranging from 51010 to 3.61012 ions/cm2 was applied. The thicknesses of the InP and the GaN films were 500 and 30

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