【摘 要】
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首次在工业７５硅铁上用热丝法气相沉积出了较好的金刚石薄膜。ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ检测表明，金刚石薄膜有强烈的选择性生长。初生硅区域［含硅９６ｗｔ．％］金刚石成核生长缓慢，ＦｅＳｉ２区域［含硅５３ｗｔ－％］成核密度约高前者一个数量级
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首次在工业７５硅铁上用热丝法气相沉积出了较好的金刚石薄膜。ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ检测表明，金刚石薄膜有强烈的选择性生长。初生硅区域［含硅９６ｗｔ．％］金刚石成核生长缓慢，ＦｅＳｉ２区域［含硅５３ｗｔ－％］成核密度约高前者一个数量级以上。本文对上述现象作了初步理论分析。
For the first time in the industrial 75 ferrosilicon with hot wire method vapor deposition of a better diamond film. SEM, Raman test showed that the diamond film has a strong selective growth. Primary silicon area [silicon containing 96wt. %] Slow growth of diamond nucleation, FeSi2 region [53wt-% silicon] nucleation density is about an order of magnitude higher than the former. This article made a preliminary theoretical analysis of the above phenomenon.
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