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采用原位氧等离子体刻蚀法对微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜进行了提高电阻率的后处理,暗电流I-V特性测试结果表明,优化的工艺可使生成膜的电阻率提高4个数量级以上;SEM和XPS分析证实刻蚀处理减少了薄膜表层的石墨和C-H含量,并且未使膜厚产生明显的改变.原位氧等离子体处理是一种简便有效的提高金刚石薄膜电阻率的工艺方法.