【摘 要】
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采用惰性气体熔融–热导法测定硅材料中杂质氧的含量。经试验确定了仪器的最佳分析条件:称样量为0.05~0.15g,分析功率为4500W,使用镍助熔剂、座坩埚;采用(30+40)s二次腐蚀方
【机 构】
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北京有色金属研究总院国标（北京）检验认证有限公司
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采用惰性气体熔融–热导法测定硅材料中杂质氧的含量。经试验确定了仪器的最佳分析条件:称样量为0.05~0.15g,分析功率为4500W,使用镍助熔剂、座坩埚;采用(30+40)s二次腐蚀方法处理助熔剂,以降低助熔剂的空白值。选择与待测试样性质类似、氧含量接近的标准物质校正仪器,氧的质量在0.01~0.30mg之间与信号积分面积呈良好的线性,线性相关系数r=0.9998,方法检出限为27μg/g。对氧含量不同的硅材料试样进行测定,测定结果的相对标准偏差为1.5%~3.4%(n=11),加标回收率为96.2%~
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