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钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理
钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理
来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wlszmf
【摘 要】
:
化学镀镍过程对PTCR及MLCC等元件的电性能,往往会产生负面效应,其中氢离子引起的还原作用不可忽视,其主要机理是增加了载流子浓度和改变了晶粒边界势垒。
【作 者】
:
李标荣
陈万平
【机 构】
:
东莞南方电子有限公司,日本仙台东北大学金属材料研究所
【出 处】
:
电子元件与材料
【发表日期】
:
1999年3期
【关键词】
:
PTC陶瓷
晶界势垒
化学镀镍
PTCR
MLCC
PTC ceramics
grain boundary barrier
Nielectrolesspla
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化学镀镍过程对PTCR及MLCC等元件的电性能,往往会产生负面效应,其中氢离子引起的还原作用不可忽视,其主要机理是增加了载流子浓度和改变了晶粒边界势垒。
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