【摘 要】
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介绍了GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的多层AlGaN外延材料,通过刻蚀、钝化、欧姆接触
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,
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介绍了GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的多层AlGaN外延材料,通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极制备等工艺,制作了256×1的背照射AlGaN紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试,得到芯片的暗电流Id为4.22×10-12A、零压电阻R0为1.01×1010Ω,响应波段为305~365 nm,响应率约为0.12 A/W。该AlGaN探测芯片与电容反馈互阻抗放大器(CTIA)结构的读出电路互连成为一个256模块,两个256模块经过拼接、封装后制备出512×1元紫外长线列焦平面探测器组件。测量室温(300 K)时焦平面组件(实际524元)的响应,平均电压响应率为1.8×108V/W,其盲元率为9.0%,响应不均匀性为17.8%,359 nm处的平均波段探测率为7×1010cmHz1/2W-1。并对器件性能进行了分析。
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