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研究了磁纳米线中头对头畴壁在缺口处关于钉扎场的问题。采用微磁学软件模拟了当施加外磁场后,钉扎场与缺口的几何尺寸以及相对位置的变化情况。研究发现当缺口宽度与纳米线宽度比一定时,钉扎场的大小随着纳米线宽度的增加而减小,并且缺口的长度越长,钉扎效应越明显。除此之外,还讨论了缺口的相对钉扎位置与钉扎场的关系。最后讨论了畴壁的手性对钉扎效应的影响。