【摘 要】
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提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Poisson方程．获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式。基于此耐压模型研究了不同
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提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Poisson方程．获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式。基于此耐压模型研究了不同阶梯漂移区数（n=1、2、3、5）的击穿特性，计算了击穿电压与结构参数的关系．其解析结果与数值结果吻合较好。在相同长度下．阶梯掺杂漂移区结构（n=3）击穿电压由均匀漂移区（n=1）的200V提高到250V．增加25％。该模型可用于薄外延阶梯掺杂和线性掺杂漂移区RESURF器件的设计优化。
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