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超宽禁带氧化镓（Ga2O3）半导体材料禁带宽度为4.5～5.16 eV,理论预测其击穿电场强度达到8 MV/cm,远高于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓等半导......
近年来，高性能LDMOS在工业和军事领域得到广泛应用。随着技术指标的不断提高，高性能LDMOS的设计不但要求结构创新，也要求更有效率的设......
提出了一种利用高能离子注入形成的700V三层RESURF结构nLDMOS。与双RESURF结构漂移区表面注入形成P-top层不同,三层RESURF结构在漂......
基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET).该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部......
提出了一种新型4H—SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构。阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强，加快漂移区耗尽。同时，利用D-RESURF......
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Poisson方程．获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电......
绝缘体上的硅（Silicon On Insulator，简称SOI）高压集成电路（High Voltage IntegratedCircuit，简称HVIC）凭借其隔离性能优良、集成度高、......
