【摘 要】
：
衬底减薄可以大幅提升SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的电流密度,但减薄工艺和减薄引入的激光退火工艺仍面临巨大挑战.使用不同型号的金刚砂轮模拟了SiC衬底减薄精磨过程,研究了精磨后SiC衬底的界面质量;同时,使用波长为355 nm的紫外激光器退火Ni/4H-SiC结构,分析了激光能量密度对欧姆接触的性能影响;最后,结合减薄工艺和激光退火工艺制备了厚度为100 μ,m的1200 V/15 A SiC JBS二极管.结果 表明,使用超精细砂轮精磨SiC衬底后,其表面粗糙度为1.26 nm,纵向损伤层厚度约为6
【机 构】
：
株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲 412001;新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲 412001
论文部分内容阅读
衬底减薄可以大幅提升SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的电流密度,但减薄工艺和减薄引入的激光退火工艺仍面临巨大挑战.使用不同型号的金刚砂轮模拟了SiC衬底减薄精磨过程,研究了精磨后SiC衬底的界面质量;同时,使用波长为355 nm的紫外激光器退火Ni/4H-SiC结构,分析了激光能量密度对欧姆接触的性能影响;最后,结合减薄工艺和激光退火工艺制备了厚度为100 μ,m的1200 V/15 A SiC JBS二极管.结果 表明,使用超精细砂轮精磨SiC衬底后,其表面粗糙度为1.26 nm,纵向损伤层厚度约为60 nm;当激光能量密度为1.8 J/cm2时,能形成良好的欧姆接触,比接触电阻率为7.42×10-5 Ω·cm2;厚度减薄至100 μ.m的1200 V/15 A SiC JBS二极管在不损失阻断性能的情况下,其正向导通压降比未减薄的减小了0.15V,电流密度提升了41.27％.
其他文献
蝶类作为珠三角城市绿地的生态多样性代表之一,“花香引蝶”即植物通过信息素传递来吸引蝶类传粉.蝶类和植物相互依存、共同进化,对不同植物群落的生态环境具有极为灵敏的反馈作用,可以通过植物的动态变化对生境进行预测.蜜源植物通过自身的条件或外界环境改变吸引蝶类,植物的生态系统极为广泛,蝶类又是植食性昆虫,因此不同蝶类在生境中具有检测生态恢复程度的作用,而蝶类的预判能力有利于它们在环境变化中更好地生存下去.
人工种子技术是建立在组织培养基础上的一门新型植物育种方式,具有操作简单、周期短、成本低、可直接播种大田等多个方面的优点,是有望代替组织培养技术成为植物繁殖和品种选育的一门新技术.从人工种子材料的选择、体细胞胚同步化调控、包埋基质、包埋方法、贮藏及防腐等近几年来的研究成果进行综述,以期为人工种子制作工艺的完善及技术的优化提供理论依据.
基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0～31.5 dB.通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸.测试结果表明,在2～ 18 GHz频带内,该衰减器的插入损耗小于4.8 dB,64态衰减精度均方根误差小于0.6 dB,输入回波损耗小于-13 dB,输出回波损耗小于-12.5 dB,附加相移为-14°～4°.在10 GHz下,其1 dB压缩点输入功率达到34.5 dBm.裸片尺寸为2.3
随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一.使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片.相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面的5个区域的气流进行调节,实现单独分区调控,从而提升了外延层厚度均匀性的可调性.实验中,采用两步外延方法,进一步提升了片内电阻率均匀性.通过对工艺参数进行优化,300 mm硅外延片的外延层厚度不均匀性达到0.8％,电阻率不均匀性为1.62％(边缘排除5 mm),成功提升了300 mm
基于自主研制的0.25 μm高压大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),采用LC低通谐振匹配技术和宽带功率合成技术,利用大栅宽HEMT有源模型以及键合线、电容和管壳等无源模型进行一体化仿真,匹配电路采用LC匹配网络和λ/4微带线将HEMT阻抗提高至50 Ω,最终实现了连续波120 W宽带GaN功率器件.测试结果表明,该器件在36 V漏极工作电压和-2.0V栅极工作电压下,2～4 GHz频带内连续波输出功率大于120 W,功率附加效率大于46％,功率增益大于9.5 dB,二次谐波抑制度大于20 dBc,