电阻率均匀性相关论文
通过对电磁感应加热的硅外延化学气相沉积反应腔室建立理论分析模型,结合工程实验对比,研究了不同石墨材料和不同基座结构对基座表......
随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一.使用具有五路......
P型锗单晶作为空间太阳电池外延层的衬底片,其电阻率均匀一致性极为重要.在直拉法锗晶体生长中,固液界面即为结晶前沿的等电阻面、......
本文采用化学气相沉积（CVD）法在单晶硅衬底上沉积硅外延层,同时研究了沉积工艺对外延层电阻率和厚度的影响规律。研究发现采用H2气变......
区熔工艺中各项参数的设置会直接影响高阻单晶的电阻率均匀性。在高阻区熔硅单晶生长时．通过采用下轴正、反向交替旋转的模式，可使直......
区熔(FZ)硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料,产量大约占整个硅片市场6%～8%。高质量的电力电子器件的发展对区熔硅单晶的高完整......
