YAG激光晶化多晶硅

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【摘要】

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报道了采用YAG脉冲激光器对硅基薄膜进行晶化制备多晶硅的实验结果，其中主要针对以PECVD法制备的不同硅基薄膜（如非晶硅和微晶硅）为晶化前驱物，以及对激光能量的利用等问题进行了

【作者】

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刘建平王海文李娟张德坤赵淑云吴春亚熊绍珍张丽珠

【机构】

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南开大学光电子所,天津机电职业技术学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年8期

【关键词】

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YAG脉冲激光激光晶化微晶硅 YAG pulse laser laser crystallization μc-Si

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报道了采用YAG脉冲激光器对硅基薄膜进行晶化制备多晶硅的实验结果，其中主要针对以PECVD法制备的不同硅基薄膜（如非晶硅和微晶硅）为晶化前驱物，以及对激光能量的利用等问题进行了分析研究．实验发现，晶化需要基本的阈值能量流密度，而晶化硅基前驱物材料的结构，是决定此阈值的关键．延迟降温速率对激光晶化是一种较为有效的手段，并对所得的初步结果进行了讨论．

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