【摘 要】
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由于直流偏压方法沉积金刚石薄膜易出现电荷积聚现象,从而影响了薄膜的均匀性.本文采用脉冲负偏压增强热丝化学气相沉积(HFCVD)法,以WC-Co硬质合金为衬底制备金刚石薄膜,探讨
【机 构】
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中国科学院金属研究所,中国工程物理研究院
【基金项目】
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中国工程物理研究院军民两用技术项目;
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由于直流偏压方法沉积金刚石薄膜易出现电荷积聚现象,从而影响了薄膜的均匀性.本文采用脉冲负偏压增强热丝化学气相沉积(HFCVD)法,以WC-Co硬质合金为衬底制备金刚石薄膜,探讨了在不同频率脉冲直流偏压(500～5000Hz)下,脉冲偏压对金刚石薄膜的均匀性、致密性和晶粒度的影响,并且讨论了脉冲偏压作用的机理.对沉积的金刚石薄膜进行SEM、XRD和Raman分析.结果表明,采用500Hz脉冲偏压可获得高质量的金刚石薄膜,薄膜的晶粒度小,均匀性和致密性较好.
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