【摘 要】
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用光荧光谱(PL)研究了GaNxAs1-x/G aAs单量子阱(SQW)的光跃迁性质和带阶.通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰 值位置与温度的关系,发现GaNxAs1-x/GaAs单量子阱中
【机 构】
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北京大学物理系,清华大学数学系,美国亚利桑那州立大学电机工程系
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用光荧光谱(PL)研究了GaNxAs1-x/G aAs单量子阱(SQW)的光跃迁性质和带阶.通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰 值位置与温度的关系,发现GaNxAs1-x/GaAs单量子阱中的发光是本征带- 带跃迁,并且低温发光是局域激子发光.通过自洽计算发现它的导带带阶(ΔEc)与氮含 量的关系不是纯粹的线性关系,其平均变化速率(0.110eV/N%)比文献中报道的要慢得多(0.15 6～0.175eV/N%),此外发现Qc(=ΔEc／ΔEg)随氮含量的变化很小,可以用Qc≈x 0.25来表示
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