【摘 要】
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设计了一种深亚微米,单片集成的512 K(16 K×32位)高速静态存储器(SRAM).该存储器可以作为IP核集成在片上系统中.存储器采用六管CMOS存储单元、锁存器型敏感放大器和高速
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设计了一种深亚微米,单片集成的512 K(16 K×32位)高速静态存储器(SRAM).该存储器可以作为IP核集成在片上系统中.存储器采用六管CMOS存储单元、锁存器型敏感放大器和高速译码电路,以期达到最快的存取时间.该存储器用0.25 μm五层金属单层多晶N阱CMOS工艺实现,芯片大小为4.8 mm×3.8 mm.测试结果表明,在10 MHz的工作频率下,存储器的存取时间为8 ns,工作电流7 mA.
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