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本文介绍了铜镶嵌工艺中的低K电介质材料和电介质刻蚀／去胶技术，研究了In—Situ等离子体去胶对低K电介质材料损伤的问题并提出了最大限度地减少去胶损伤的方法。
等离子体去胶对低K材料损伤的问题研究
【摘 要】
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本文介绍了铜镶嵌工艺中的低K电介质材料和电介质刻蚀／去胶技术，研究了In—Situ等离子体去胶对低K电介质材料损伤的问题并提出了最大限度地减少去胶损伤的方法。
【机 构】
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中微半导体设备上海有限公司,上海交通大学微电子学院
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2008年4期
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