【摘 要】
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提出SiHCl3-H2体系多晶硅化学气相沉积的传递-动力学模型（TKM），同时考虑传递过程和表面化学反应动力学对硅沉积速率的影响。研究硅沉积过程受表面化学反应速率限制和传递速率限
【机 构】
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昆明理工大学省部共建复杂有色金属资源清洁利用国家重点实验室,昆明理工大学冶金与能源工程学院,昆明冶金研究院
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提出SiHCl3-H2体系多晶硅化学气相沉积的传递-动力学模型（TKM），同时考虑传递过程和表面化学反应动力学对硅沉积速率的影响。研究硅沉积过程受表面化学反应速率限制和传递速率限制的边界条件，并且研究表面化学反应速率受氢气浓度限制或SiHCl3（TCS）浓度限制的边界条件，提出同时受氢气浓度限制和TCS 浓度限制的边界条件。为了验证TKM的有效性，应用该模型计算硅棒长度为2 m、硅棒直径为10 cm、气流速度为0.67 m/s、硅棒表面温度为1398 K、常压（0.1 MPa）条件下，不同H2/SiHCl
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