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绝缘体上硅工艺的最新进展
绝缘体上硅工艺的最新进展
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zou123456ting
【摘 要】
:
<正> 绝缘体上硅(SOI)工艺应用于诸如军事和空间电子系统等专门场合,已有二十多年历史了。由于SOI具有良好的抗辐射性和高速特性,使它在这些领域具有独特的优点。但是,因为它
【作 者】
:
曹阳
阿愚
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
1991年4期
【关键词】
:
绝缘体上硅
工艺
SOI
薄膜
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<正> 绝缘体上硅(SOI)工艺应用于诸如军事和空间电子系统等专门场合,已有二十多年历史了。由于SOI具有良好的抗辐射性和高速特性,使它在这些领域具有独特的优点。但是,因为它的材料价格较高,所以它每功能单元的成本高于体硅。然而,已出现三种新型SOI工艺,这些新工艺能够促进微
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