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应变硅是为满足45nm工艺要求，利用通过外延或生长的方法改变晶体的晶格结构产生的应力，达到改善器件性能的一种新新方法。晶体结构中产生的张力可以提高电子迁移率，而收缩力可以提高空穴迁移率，因此可以将这两种应力分别用于NMOS和PMOS。
应变硅
【摘 要】
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应变硅是为满足45nm工艺要求，利用通过外延或生长的方法改变晶体的晶格结构产生的应力，达到改善器件性能的一种新新方法。晶体结构中产生的张力可以提高电子迁移率，而收缩力可以
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2005年5期
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