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用磁控溅射的方法在40Cr钢的表面制得了SiC薄膜。通过X射线衍射、傅里叶红外光谱分析、摩擦磨损以及划痕试验研究了工艺参数、溅射方式对薄膜性能的影响。结果表明：室温下，用磁控溅射法制备的SiC薄膜具有非晶态结构；傅立叶红外光谱证实了薄膜中除了Si—C键的存在外还有大量的Si—Si键；在相同的工艺参数下用射频溅射法制备的薄膜表面更为光滑致密，与基体结合更好；采用射频溅射法，在功率200W，时间为2h，工作气压为0．1Pa条件下制备的SiC薄膜性能最佳。