论文部分内容阅读
利用等离子辉光放电化学气相沉积技术(PCVD),控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比,在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜,研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响.在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高20%达到850MPa,沉积氮化硅薄膜使强度提高30%达到900MPa,改性的效果很明显.