PCVD法相关论文
研究了PCVD法在电工钢上沉积Si的规律及其电磁性能,探讨了处理温度对表层中Si含量影响。DW620—50电工钢经PCVD处理后磁性能得以改......
研究了直流ＰＣＶＤ ＴｉＮ膜的断口结构和机械性能。用扫描电镜观察了４００℃～７００℃ 下沉积的 ＴｉＮ膜．总结了在本条件下所得 ＰＣＶＤ－ＴｉＮ膜的温度－结构关系，与 ＰＶＤ 法相比，其主要......
Fe-6.5wt%Si高硅钢具有高磁导率，近于零的磁致伸缩系数,中高频铁损低和矫顽力小等特性，因此被广泛应用于发电机、高频高速电机及变压......
学位
采用等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）法，在０．１～０．３ ｍｍ厚的普通硅钢片表面涂硅，再进行短时间高温扩散，使硅钢片的合Ｓｉ量增加到６．５％，铁损Ｐ１０／５０比原来钢片降低５０％，其他磁性能......
用等离子体化学气相沉积方法 (PCVD) ,在 0 .1～ 0 .3mm厚的普通硅钢片表面涂硅 ,再进行短时间高温扩散 ,使硅钢平均含硅量达 6 .5 %......
提高硅钢片磁性能的最佳途径是提高钢片的硅含量。本研究采用等离子体化学气相沉积 ( PCVD)法 ,在( 0 .1～ 0 .3) mm厚的普通硅钢片......
介绍离子氮化＋镀ＴｉＮ的复合渗镀（简称ＰＣＶＤ）的模具表面强化新技术，表面强化层是由氮化层和气相沉积镀层组成，皆由ＰＣＶＤ法制备。试验表明这种复合表面可......
采用等离子体化学气相沉积（PCVD）法，在0．1－0．3mm厚的普通硅钢片表面涂硅，再进行短时间高温扩散，使硅钢片的含Si量增加到6．5％，铁损P10／50比原来......
期刊
简述等离子体的物理概念及其获得方法.重点介绍等离子体技术在材料领域中的表面改性,并论述了PCVD法涂Si的原理及动力学和热力学问......
研究了ＰＣＶＤ法在电工钢上沉积Ｓｉ的规律及其电磁性能，探讨了处理温度对表层中Ｓｉ含量的影响。ＤＷ６２０－５０电工钢经ＰＣＶＤ处理后磁性能得以改善，高温扩散后其铁损降......
采用正交试验法对ＰＣＶＤ等离子体增强化学气相沉积渗硅的工艺进行了优化。在４０％ＳｉｎＨ２ｎ＋２＋６０％Ａｒ（质量分数）渗硅源中，电工钢于４８０℃ＰＣＶＤ处理４０ｍｉｎ，其表面可形成厚２０μｍ富硅层，再经......
用等离子增强化学气相沉积（ＰＣＶＤ）法和化学气相沉积（ＣＶＤ）法分别制备ＴiV系薄膜。采用扫描电镜、Ｘ射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结......
利用热传导理论，结合ＬＰＨＶＤ工艺，从激光功率密度、光斑尺寸、预制棒平动速度和转动速度等方面分析光纤ＰＣＶＤ法中激光熔融过程，并优化这些参数，得到......
利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨......
碳氢（cH）及其掺杂材料常被用作ICF实验靶丸烧蚀层材料。制备CH薄膜及其掺杂材料的方法有很多，诸如：离子束辅助沉积、离子溅射沉积、低......
<正>TiO2 thin film was prepared on Si substrate by plasma chemical vapor deposition（PCVD） system and the morphologies of T......
研究了四氯化钛、氮气、甲烷通入量对 PCVD 法沉积 TiN、TiCN 涂层硬度、沉积速率以及颜色的影响,进行了磨损试验。结果表明,不同......
<正> 随着大功率电子、光电子、微波器件以及超大规模IC技术的飞速发展,急需新的热沉材料,用高导热高绝缘金刚石膜代替目前常用的......
探讨了ＰＣＶＤ法沉积ＴｉＮ膜器壁副产物的成分及形成机制，并提出了解决办法。同时对脉冲、直流ＰＣＶＤ沉积ＴｉＮ膜中的氯含量、膜的生长、晶粒大小及膜结构进......
通过挤压轮的失效形式分析,表面裂纹是引起其失效的主要原因。应用PCVD法对挤压轮（H13）进行表面改性处理,在其表面备制了一层T（iCN）涂......
建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(Plasma Chemical Vapour Deposition)方法.通过采用温度为1100℃～1500℃的热阴极以及阴极和......
研究了ＰＣＶＤ法在电工钢上沉积Ｓｉ的规律及其电磁性能，探讨了处理温度对表层中Ｓｉ含量影响。ＤＷ６２０－５０电工钢经ＰＣＶＤ处理后磁性能得以改善，高温扩散后其欠损降低......
<正> 普通的α—Fe_2O_3,由于其所具有的高稳定性,对气体是不够敏感的。由于加入了SO_4~(2-)和 M~(4+)(M=Sn,Ti,Zr)使其微细化后成......
用等离子冷放电化学气相法（ＰＣＶＤ）合成的高纯、超细的无定形Ｓｉ３Ｎ４粉末，领教旷了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后，进行红外光谱的测定，发现合成的......
本文介绍了在PCVD设备中用固态AlCl<sub>3</sub>制备（TiAl）N膜。结果表明,（TiAl）N膜的含Al量与AlCl<sub>3</sub>的蒸发温度成正比,但膜......
本文报道了ＰＣＶＤ法数据光纤的研制，包括光纤设计、工艺流程及关键工艺问题，还给出了该数据光纤产品性能的统计结果。......
用等离子体增强化学气相沉积 (PCVD)法和化学气相沉积 (CVD)法分别制备 Ti N系薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪......
随着电子技术的不断发展，电容器作为主要的电子元件也在不断的更新换代，铝电解电容器作为电容器家族中的重要组成部分，是电容器研究者......
