HL-1装置杂质控制与补充送气初步实验

来源 :核聚变与等离子体物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lygwzs
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将部分真空室内壁蒸钛,使Z_(eff)降低到2左右,电流坪区拉长到近400ms。用多个窄脉冲补充送气,获得了密度较高的等离子体,最大达到3. 7×10~(13)cm。实验结果表明,当前改善HL-1装置放电品质的关键在于控制杂质。 Some of the vacuum chamber will steamed titanium, so that Z_ (eff) reduced to about 2, current Ping area stretched to nearly 400ms. 7 x 10 ~ (13) cm. With a number of narrow pulse replenishment aspirated to obtain a higher density plasma, maximum 3. 7 × 10 ~ (13) cm. The experimental results show that the key to improve the discharge quality of HL-1 devices is to control the impurities.
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