【摘 要】
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瞬时中子辐射损伤效应是评价电子器件抗辐射能力的一项重要指标。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点，采用参数一致性好的硅双极晶体管3DK9D作为位移损伤
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所
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瞬时中子辐射损伤效应是评价电子器件抗辐射能力的一项重要指标。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点，采用参数一致性好的硅双极晶体管3DK9D作为位移损伤探测器，通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变化，获得了双极晶体管对脉冲中子辐照的响应特性。结果表明，晶体管的瞬时辐射效应是电离损伤和位移损伤共同作用的结果。在相同累计中子注量下，瞬态辐照损伤效应远强于稳态辐照损伤结果。
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