【摘 要】
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本文提出了采用介质谐振器的场效应晶体管振荡器的简单的温度稳定性模型,并根据振荡条件,用该模型推出了振荡功率和振荡频率与温度的关系。具有适当的线性谐振频率/温度特性
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本文提出了采用介质谐振器的场效应晶体管振荡器的简单的温度稳定性模型,并根据振荡条件,用该模型推出了振荡功率和振荡频率与温度的关系。具有适当的线性谐振频率/温度特性的叠式谐振器已试制成功,并被用来稳定采用介质谐振器的振荡器(DRO),在频率为11.5GHz、温度为-20℃到80℃时,获得了±120kHz的频率稳定度((?)±0.1ppm/K)。
This paper presents a simple temperature stability model of a field effect transistor oscillator using dielectric resonators. Based on the oscillation conditions, the relationship between oscillation power and oscillation frequency and temperature is derived using this model. Stacked resonators with appropriate linear resonant frequency / temperature characteristics have been successfully fabricated and used to stabilize dielectric resonator oscillators (DROs). When the frequency is 11.5 GHz and the temperature is between -20 ° C and 80 ° C, Achieved ± 120kHz frequency stability ((?) ± 0.1ppm / K).
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