氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响

来源 :中国科学E辑 | 被引量 : 0次 | 上传用户：CRONALDO_7

【摘要】

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用PECVD方法,以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4]=1.2)和不同的氢稀释比(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiC:H)薄膜.运用紫

【作者】

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胡志华廖显伯刁宏伟孔光临曾湘波徐艳月

【机构】

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云南师范大学能源与环境科学学院,昆明,650092中国科学院半导体研究所国家表面物理重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所国家表面物理重点实验室,北京,100083;

【出处】

：

中国科学E辑

【发表日期】

：

2004年5期

【关键词】

：

非晶硅碳氢稀释纳米硅

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用PECVD方法,以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4]=1.2)和不同的氢稀释比(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiC:H)薄膜.运用紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、红外吸收谱(IR)、Raman谱以及光荧光发射谱(PL)测量研究了氢稀释和高温退火对薄膜生长和光学特性的影响.实验发现氢稀释使薄膜光学带隙展宽(从1.92到2.15 eV).高氢稀释条件下制备的薄膜经过1250℃退火后在室温下观察到可见光发光峰,峰位位于2.1 eV.结合Raman谱分析,认为发光峰源于纳米硅的量子限制效应,纳米硅被Si-C和Si-O限制.

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