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本文提出了一种结构简单高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源，供电电源3．3V。采用CSMCO．5urnCMOS工艺。Spectre仿真结果表明，基准输出电压在温度为-40～＋80℃时，温度系数为45．53×10—6/℃，输出电压在电源电压为2-5V范围内变化小。电源抑制比达到-73．3dB。
一种结构简单的CMOS带隙基准电压源设计
【摘 要】
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本文提出了一种结构简单高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源，供电电源3．3V。采用CSMCO．5urnCMOS工艺。Spectre仿真结果表明，基准输出电压在温度为-40～＋80℃时，温度系数为45．53×10
【机 构】
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西安邮电学院
【出 处】
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微计算机信息
【发表日期】
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2009年19期
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