GexSi1—x／Si应变层超晶格的折迭纵声学声子

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：youqianlowa

【摘要】

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用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理

【作者】

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张树霖金鹰秦国刚盛篪周国良周铁成

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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1991年7期

【关键词】

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GESI/SI 应变层超晶格声学声子

【基金项目】

：

国家自然科学基金,,中国科学院半导体超晶格国家重点实验室资助

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用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用.

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