【摘 要】
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随着集成电路深亚微米工艺的不断发展,Cu因其低电阻率以及良好的抗电迁移能力成为了新一代的 互连材料.然而,Cu和Si元素扩散造成的污染是无法避免的.为了阻止Cu的扩散同时提
【机 构】
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中国船舶重工集团公司第703研究所,银川能源学院
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随着集成电路深亚微米工艺的不断发展,Cu因其低电阻率以及良好的抗电迁移能力成为了新一代的 互连材料.然而,Cu和Si元素扩散造成的污染是无法避免的.为了阻止Cu的扩散同时提高Cu与Si之间的粘附 性,在Cu互连线外添加一层扩散阻挡层的技术十分必要.寻找能够有效克制Cu扩散的阻挡层材料已经成为近 年来Cu互连技术研究中的重点研究之一.本文采用射频磁控溅射技术和直流磁控溅射技术在单晶S1 （100） 衬底上制备了NbxSWSi系统和Cu /NbxSWSi系统并对不同退火温度热处理后的Cu/NbxSVx/Si系
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