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苏修列别捷夫物理研究所研究了影响以电子束激励的GaAs激光器的输出功率和效率的因素。测量是在液氮温度和室温下进行的。使用45千电子伏的电子束，在样品表面得到10安培/厘米2的电流密度，完成了GaAs的激励。发现在85 °K时，效率为30%，输出功率为300到400瓦；在室温时，效率为11%，输出功率为100到200瓦。GaAs晶体愈完善，激光发射性能就愈高。