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在PECVD系统中，用layerbylayer的方法原位制备了a—SiNx／nc—Si／a—SiNx双势垒结构样品。AFM测量结果显示nc—Si晶拉密度约为1．2×10^11cm^-2，通过Raman散射谱计算出薄膜中的平均晶粒尺寸为6nm，nc—Si层的晶化比约46％。在低频时的电容-电压（C—V）测试过程中，观察到了与共振隧穿效应有关的电容峰，由于样品中的nc-Si颗粒尺寸均匀性不高，没有观察到分立的隧穿电容峰结构，只得到扩展的电容峰。