在PECVD系统中，用layerbylayer的方法原位制备了a—SiNx／nc—Si／a—SiNx双势垒结构样品。AFM测量结果显示nc—Si晶拉密度约为1．2×......

采用射频等离子体增强型化学气相沉积（RF—PECVD）技术，以H2和SiH4作为反应气体源，在不同的衬底温度下沉积了nc-Si：H薄膜。采用Raman散射......