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The effects of proton irradiation on the electrical properties of NbAIO/AIGaN/GaN MIS-HEMT
【机 构】
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KeyLaboratoryofWideBand-GapSemiconductorMaterialsandDevices
【出 处】
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中国科学：物理学、力学、天文学英文版
【发表日期】
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2012年1期
【基金项目】
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The authors would like to acknowledge teacher Sun＇s assistance （Peking University） in proton irradiation. This work was supported by the State Key Program and Major Program of National Natural Science
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