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采用射频（RF）溅射，在Ba0．65Sr0．35TiO3（BsI＇）薄膜和Pt／Ti／Si02／Si衬底之间，制备10nm厚的Ba0.65Sr0．35RuO3（mR）缓冲层，研究了BSR缓冲层对BST薄膜结构和性能的影响。与没有加BSR缓冲层的lIST薄膜相比，BSR缓冲层可以使BST薄膜呈高度。轴择优取向生长，改善了薄膜的介电常数，降低了薄膜的漏电流密度，使其热释电系数达到7．45×10^-7C·cm^-2·K^-1。这表明利用BSR缓冲层可以制备高热释电性能的BST薄膜。