低米勒电容超结MOSFET开关过程及反向恢复性能仿真研究

来源 :机车电传动 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a429629261

【摘要】

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针对超结场效应晶体管(SJ-MOSFET),利用工艺仿真建立多次外延离子注入和深槽刻蚀2种不同P柱形貌的器件结构,对比研究了不同工艺、不同栅极结构SJ-MOS的静态特性差异,并与实测数据对比,验证建立模型的正确性.从空间电荷区不均匀拓展的角度,分析不同工艺路线器件的C-V特性测试中“电容转折”现象的微观机理.研究了感性负载下SJ-MOSFET开关过程中栅极电压、漏极电流、漏源极电压随时间变化关系,并搭建寄生体二极管反向恢复测试平台,探究了不同工艺对于反向恢复电荷、峰值电流等参数的影响.研究内容可指导器件设

【作者】

：

唐茂森刘东沈俊葛兴来周荣斌叶峻涵

【机构】

：

西南交通大学电气工程学院,四川成都611756

【出处】

：

机车电传动

【发表日期】

：

2021年5期

【关键词】

：

超结场效应晶体管 C-V特性体二极管双脉冲测试反向恢复特性测试

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