【摘 要】
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The growth of wurtzite GaN by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy on (111) magnesium aluminate (MgAl2O4) substrates have been studied. The morphologic
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The growth of wurtzite GaN by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy on (111) magnesium aluminate (MgAl2O4) substrates have been studied. The morphological,crystalline, electrical and optical properties are investigated. The GaN line modes at 735 and 568cm-1 labeled A1 (LO) and E2(high) is observed in the Raman scattering spectra.
The growth of wurtzite GaN by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy on (111) magnesium aluminate (MgAl2O4) substrates have been studied. The morphological, crystalline, electrical and optical properties are investigated. The GaN line modes at 735 and 568 cm- 1 labeled A1 (LO) and E2 (high) are observed in the Raman scattering spectra.
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