飞兆推出BGA封装低电压P沟道MOSFET

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<正> 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出P沟道MOSFET—FDZ299P,在超小型的1.5×1.5mmBGA(球栅阵列)封装内采用高性能的PowerTrench技术,其体积大大减小。FDZ299P是功率管理设备的理想方案,适用范围包括蜂窝电话、PDA、便携音乐播放器、GPS接收器及数码相机等。
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