铌酸锂晶体中本征缺陷的模拟计算

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在现有晶体势参数的基础上,利用GULP软件计算了铌酸锂(LiNbO3,LN)晶体的各类本征缺陷的缺陷生成能,并对LN晶体中可能存在的缺陷反应进行了讨论。结果表明,LN晶体中最容易形成(++4VLi-+Nb4+Li)缺陷,且这两类点缺陷倾向于以缺陷簇的形式存在。与此同时,LN晶体中还可能形成(2VLi-+V2+O)缺陷。 Based on the existing crystal potential parameters, the defect generation energy of various intrinsic defects of lithium niobate (LiNbO3, LN) crystal was calculated by GULP software, and the possible defect reactions in LN crystal were discussed. The results show that the defects (++ 4VLi- + Nb4 + Li) are the most easily formed in LN crystals, and the defects of these two types of dots tend to exist in the form of defect clusters. In the meantime, defects of (2VLi- + V2 + O) may also form in the LN crystal.
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