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在真空蒸镀多晶硅薄膜中掺入杂质可改善膜的微结构及电特性，目前有关基板距离对所得膜层的影响研究不多。采用真空蒸镀掺杂锗的方法制备出多晶硅薄膜；通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等研究了基板距离对掺锗多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明：随着基板距离的增大，薄膜的晶粒尺寸和晶化率均呈现出先增大后减小的相似趋势；当基板距离为90mm时，晶粒尺寸显著增大，最大达到0．8μm左右，多晶硅薄膜晶粒形貌、结构性能最好，且具有较高的结晶度，薄膜的晶化率最高可达到85．10％。