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采用Ｌｉｎｅａｒｉｚｅｄ－Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ－Ｏｒｂｉｔａｌ能带方法对应变超晶格（ＧａＡｓ）ｎ／（ＩｎＡｓ）１（００１）进行自洽计算。在得到较准确能带结构和本征函数的基础上，计算该超晶格的光学介电函数虚部ε２（ω），折射率和吸收系数。
超晶格（GaAs）n／（InAs）1（001）的光学性质
【摘 要】
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采用Ｌｉｎｅａｒｉｚｅｄ－Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ－Ｏｒｂｉｔａｌ能带方法对应变超晶格（ＧａＡｓ）ｎ／（ＩｎＡｓ）１（００１）进行自洽计算。在得到较准确能带结构和本征函数的基础上，计算该超晶格的光学介电函数虚部ε２（ω），折射率和吸收系数。
【机 构】
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厦门大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年10期
【基金项目】
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国家高技术（863）新材料领域（863－715－10）课题资助
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