论文部分内容阅读
在２Ｋ下，对常压ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ单晶薄膜进行了光致荧光近带边发射谱的测量和辨认，并采用激光超短脉冲技术和时间相关单光子计数技术相结合的方法，对其在２Ｋ下近带边发射的荧光寿命进行了测量和分析，并讨论了自由激子弛豫过程。
硒化锌单晶薄膜近带边发射的荧光寿命
【摘 要】
：
在２Ｋ下，对常压ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ单晶薄膜进行了光致荧光近带边发射谱的测量和辨认，并采用激光超短脉冲技术和时间相关单光子计数技术相结合的方法，对其在２Ｋ下近带边发射的荧光寿命进行了测
【机 构】
：
中国科学院长春物理所激发态物理开放研究实验室
【出 处】
：
发光学报
【发表日期】
：
1994年2期
其他文献
本文对电子给体，受体双掺杂在高分子薄膜中形成的光谱烧孔体系，做温度循环实验，研究体系中电子－声子的相互作用，得到了表征电子－声子耦合强度的黄昆因子和薄膜中局域振动的声子频率
合成了掺杂三价铽离子的邻苯二甲酸锶发光材料，测定了材料的热稳定性，晶体结构及紫外吸收光谱，激发光谱和发射光谱，研究了晶体中邻苯二甲酸根单线态Ｓπ，π１，Ｓｎ，π１跃迁吸收和由三线态Ｔπ，π
近几年来，消费电子领域的发展日新月异。短短几年时间，平板电脑、智能手机及其他智能终端产品演绎了从出现到渐趋普及的过程。消费电子产品功能日趋丰富及智能化，诸如重力感应、
本文实验观测了双层介电系统ZnSe/玻璃和ZnSe/GaAs的表面声子模,并利用极化场边界条件对上述体系的表面声子频率进行了计算。实验结果与计算结果符合得比较满意。
新型永久光谱烧孔材料及机理研究窦恺，张继森，田明真，张家骅，靳春明，赵家龙，黄世华，虞家琪（中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）利用永久光谱烧孔（Ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔｓｐｅｃｔｒａｌｈｏｌｅｂｕｒｎｉｎｇ（ＰＳＨＢ））...
国电沈西热电厂新建工程的等离子点火系统的热工控制设计，包括等离子点火的辅助系统的监控、控制系统、10点数及主要测点的配置等几个方面。等离子点火可以实现电厂无油点火，具有相当可观的经济效益和社会效益。
本文报导了BaFBr:EU~(8+)晶体中的新型色心,即F_2,F_3和F_4心.F_3、F_3和F_4的吸收带分别位于670—715nm,810—900nm和970—995nm.它们是由F心的凝聚作用而形成的缔合中心.由
从流程工业发展过程来看,由原来各个装置封闭孤立,到最后信息共享是一个必然趋势,建立生产调度管理系统今后必然会为企业带来很大的经济效益,本文着重介绍中控调度管理系统PI
卟啉（TTP）和酞菁（Pc）分子表现出反饱和吸收特性,而在卟啉和酞菁二元分子TTP-O-Pc和TTP-O-（CH<sub>2</sub>）<sub>s</sub>-O-Pc中反饱和吸收现象消失。简并四波混频（DFWM）方法用于测量
采用液相外延方法，生长出外延层与衬底之间的失配度△α／α≤１．６×１０－３界面平直、组分恒定的ＩｎＡｓＰＳｂ／ＩｎＡｓ外延晶体．单异质结外延层，得到了３．０９μｍ波长的激光输出，双异质结外延片也得到了较好的伏－安特性