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研究了热壁外延法(HWE)在经两种不同处理方法的GaAs衬底上生长的ZnSe薄膜质量,俄歇电子能谱图(AES)分析表明,经S纯化的GaAs表面大约由一层单原子层所覆盖,从而减少了ZnAs/GaAs界面态密度,用喇曼光谱的空间相干模型,对不同处理方法的GaAs上生长的ZnSe处延膜的一级LO声子喇谱形变化进行分析,定量判断出ZnSe外延膜质量的优劣,分析认为,经S纯化ZnSe/GaAs具有较好的质量