热壁外延相关论文
本文第一次报道了用热壁外延的方法在Si(100)衬底上异质外延得到了镜面状的CdTe(100)单晶薄膜,薄膜与衬底有非常好的附着强度.用SE......
用热壁外延的方法,在清洁的玻璃衬底上外延生长了不同厚度的CdTe薄膜,对其结构和薄膜的本征吸收光学特性进行了测量分析研究.XRD测......
本文于国内首次报导，利用简化的热壁外延（ＨＷＥ）装置在ＢａＦ＿２（１１１）衬底上生长了Ⅳ—Ⅵ族半导体单晶外延层，制备了ＰｂＴｅ／ＰｂＳｎＴｅ异质结和具有２０个周期的超晶格．测试结果表......
介绍了一种简单的HWE装置和利用这一装置在BaF_2(111)面上生长PbTe单晶外延层的工艺。扫描电镜、X-光衍射和霍尔测量表明,PbTe单晶......
碑越Hg伽T.材料与探河翔研究用淬火固态再结晶法半熔再结晶法和布里奇曼法组合生长Hg沁O几Te单晶沈杰、陈建中、马可军、余中和侧......
本文测量了热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜的荧光光谱,并与CdTe体材料的荧光光谱进行了比较,证实了热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜具有......
作者索引丁世昌—见冯伟亭(203)。丁兰英、陈继述、龙爱群、崔成吾、孙德贵(山东大 学光学系):HgodTe红外双稳态器件的参数最佳 化......
研究了热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜77～200K的光致发光光谱。在77K首次观察到了CdTe的自由激子第一激发态的发光峰1.588eV。热壁外延......
本文论述了用热壁外延的方法在CdTe体材料衬底上生长CdTe,并且用各种方法对CdTe外延层进行的研究。为提高衬底材料的质量。我们采......
近年来,虽然有越来越多的研究者在努力寻找适合外延Hg_(1-∞)Cd_∞Te(简写MCT)的衬底材料,然而,由于CdTe晶体和MCT都是闪锌矿结构......
利用热壁外延技术在CdTe衬底的(111)A面和B面生长了CdTe薄膜。源温度和衬底温度分别在670～800℃和600～760℃之间,生长速率为0.8～1.3μ......
We have successfully grown a ZnSe single crystal film on GaAs(100) by hoi wall epitaxy. We confirmed that the epilayer i......
第1期心a人sP混晶中Te施主深能级的研究·”·“····“··········“·“·······”·”·“一·一·…张文清......
半磁半导体是一种将磁性元素掺入半导体后生成的新材料,国际上自80年代开始受到重视.因它将物质的磁性与半导体性质结合起来,使两......
本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研......
本文介绍了一种简单的热壁外延(HWE)装置,和利用它在BaF_2(111)衬底上生长PbTe(111)单晶薄膜的工艺,并讨论了生长机理.
In this p......
本文介绍了热壁外延的原理、实验装置和应用
This paper introduces the principle of hot wall epitaxy, experimental device a......
用改进的HWE装置，在BaF2衬底上制备n－PbTe／p－Pb_（1-x）Sn_xTe反型异质结的工艺及测试结果。SEM，XRD检测表明它是单晶异质结，I－U曲线表明它具......
ZnSe具有禁带宽、直接带隙跃迁、激子束缚能大和能以任何比例组成任何合金等优点，又是熟知的发光、激光和光学非线性材料。因此......
ZnSe作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有禁带宽、直接带隙跃迁，激子束缚能大，光、电性能优良等优点，这使其成为蓝绿色发光、激光以......
学位
利用热壁外延(Hot Wall Epitaxy,缩写为HWE)技术,研究人员对在Si衬底上外延生长PbTe,作了一些研究工作.分别在Si(111)和Si(100)衬......
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。先通过活化剂活化Si表面 ,再采取两步生长法外延GaAs单晶薄膜 ,最后进行断......
本文介绍了当前太阳电池所面临的问题，指出了GaAs薄膜太阳电池的利用前景，并且提出了一种简单廉价的制作方法。......
用热壁外延法(HWE)生长直径30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜,经XRD测试说明它是晶面为(111)取向的立方闪锌矿结构.SEM对Si衬底、CdZnTe缓......
本文介绍了一种简单的热壁外延（HWE）装置,和利用它在BaF2（111）衬底上生长PbTe（111）单晶薄膜的工艺,并讨论了生长机理.更多还原......
作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等......
<正> CdTe不仅是制作核辐射探测器的重要材料,而且还可用来制作太阳能电池,是外延Hg1-zCdzTe的理想衬底。由于很难获得大块完美的......
研究了不同衬底温度下Ｃ６０膜的壁外热壁外延生长特性，Ｘ射线衍射结果表明，当衬底温度高于１６０℃时，在氟金云母（００１）面上外延生长出完全（１１１）取向的Ｃ６０膜，此外，对......
研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而......
用改进的ＨＷＥ装置，在ＢａＦ２衬底上制备ｎ－ＰｂＴｅ／ｐ－Ｐｂ１－ｘ－ＳｎｘＴｅ反型异质结的工艺及测试结果。ＳＥＭ，ＸＲＤ检测表明它是单晶异质结，Ｉ－Ｕ曲线表明它具有良好的整流特性。此外用Ｃ－Ｕ截距法测定......
文章介绍了热壁外延（ＨＷＥ）技术及其应用。主要介绍了用热壁外延技术制作的几种Ⅳ－Ⅵ族半导体红外探测器和激光器，介绍了这方面国际上近年来......
国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等......
报道了采用热壁外延（ＨＷＥ）技术，在Ｓｉ表面生长ＧａＡｓ薄膜。先通过活化剂活化Ｓｉ表面，再采取两步生长法外延ＧａＡｓ单晶薄膜，最后进行断续多层循环退火（ＩＭＣＡ）。经电子探......
本文研究了热壁外延生长条件对Si(100)衬底上沉积外延的多晶CdTe薄膜的晶粒尺寸和取向的影响.用SEM和XRD技术分析了不同外延时间、......
本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研......
本文报道了首次用热壁外延方法，在Ｓｉ衬底上，制备了ｎ－ＰｂＴｅ／ｐ－Ｓｉ异质结的工艺及测试结果，早Ｘ－射线衍射谱确认。ＰｂＴｅ外延层是单是，ＩＶ－曲线表明，该异质具有良好的整......
期刊
介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用......
碲化铋(Bi2Te3)作为室温热电材料被广泛研究。近年来，Bi2Te3作为三维拓扑绝缘体再次受到人们极大的关注。拓扑绝缘体的体内是有能隙......
用热壁外延的方法,在清洁的玻璃衬底上外延生长了不同厚度的CdTe薄膜,对薄膜的本征吸收光学特性进行了全面的研究分析和测量.对玻......
该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍......
采用热壁外延（Hot Wall Epitaxy，HWE）沉积系统在单晶Si（211）衬底表面制备了InAs薄膜，研究了不同生长温度（300℃、350℃、400℃、450qC和50......
本文提出一种测定具有高晶格失配率的异质结带偏移的新方法。利用Ｃ－Ｖ测量技术，估计了晶格失配和其它集中电容对ｎ－ＰｂＴｅ／Ｐ－Ｓｉ异质结内建电势的影响。......
本文于国内首次报导，利用简化的热壁外延（ＨＷＥ）装置在ＢａＦ２（１１１）衬底上生长了Ⅳ－Ⅵ族半导体单晶外延层，制备了ＰｂＴｅ／ＰｂＳｎＴｅ异质结和具有２０个周期的超晶格。测试结果表......
