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40-Gbit/s SDH光纤通信系统前置放大器设计

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jianbbk

【摘 要】

：

基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了共基极和共发共基两种输入结构的前置放大器.为获得更宽的电路带宽,共基极电路采用了电容峰化技术.电路仿真表明,采用这些技术使两种前置

【作 者】

：

孙玲 王志功 韩鹏 高建军 

【机 构】

：

东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏南通

【出 处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

光纤通信 前置放大器 BICMOS工艺 电容峰化 共发共基放大器 optical communication preamplifier BiCMOS Proce 

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基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了共基极和共发共基两种输入结构的前置放大器.为获得更宽的电路带宽,共基极电路采用了电容峰化技术.电路仿真表明,采用这些技术使两种前置放大器的跨阻带宽都达到了28GHz以上,满足了40Gbit/s SDH光纤通信系统带宽要求.通过比较两种不同输入结构前置放大器的增益、带宽、电路稳定性以及噪声特性,提出了双极型晶体管实现高速前置放大器的设计方案.

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