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随着集成电路工艺的不断发展,工艺模拟软件功能也在不断的改善,但不足之处也不断暴露出来,工艺模拟过程中没有考虑仪器本身影响。所以在工艺模拟中有必要建立一个模型,本文以离子注入工艺为例,研究沟道效应对离子注入工艺的影响,并在计算机上采用SUPREM-Ⅲ完成离子注入工艺初始条件的编辑以及离子注入工艺模拟,并对模拟结果曲线进行比较。