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本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。
IGBT-新概念、新模型、新器件
【摘 要】
：
本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。
【机 构】
：
北京国安电气总公司100080
【出 处】
：
电力电子
【发表日期】
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2005年1期
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