【摘 要】
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本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜.ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α-Al2O3(0001)衬底上,生长气氛为NH3-O2中.利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行
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本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜.ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α-Al2O3(0001)衬底上,生长气氛为NH3-O2中.利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行研究,结果表明,ZnO薄膜为高度c轴取向,在500 ℃的衬底温度下具有很好的结晶性能,而且,该温度下ZnO还实现了p型转变,电阻率为103 Ω*cm,载流子浓度1015cm-3,Hall迁移率3.4 cm2/(V*s).这是利用溅射技术首次制备出p-ZnO薄膜.实验还表明p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率
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