【摘 要】
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以NH3和siH4为反应源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（p-Si）衬底上沉积了一系列SiN薄膜，并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积
【机 构】
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山东理工大学物理与光电信息技术学院,电子科技大学光电信息学院
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以NH3和siH4为反应源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（p-Si）衬底上沉积了一系列SiN薄膜，并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试。系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响。分析表明，沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si／N比影响薄膜的性能，在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。
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