栅绝缘层相关论文
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管（a-IGZO TFT）因具有制备温度低、载流子迁移率较高等优点而非常适合于制作柔性TFT背板,进而驱动柔性显示器件......
采用磁控溅射方法,在聚酰亚胺薄膜上室温制备了非晶铟镓锌氧(a-IGZO)柔性薄膜晶体管(TFT).其中,栅绝缘层选择了不同厚度比例的氧化......
采用溶液制备法制备了用PVA作为绝缘层、P3HT作为有源层的有机场效应晶体管,研究了不同浓度PVA栅绝缘层对器件性能的影响.实验结果......
制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管，采用高掺杂Si作为栅极，传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层，有机绝缘材料PMMA或OTS作为修......
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因具备较高的载流子迁移率、可低温制备、可实现透明和柔性显示等优点而被认为是下一代平板显......
近年来,随着社会和科技的进步,平板显示逐渐成为人们生活中不可替代的一部分,TFT作为平板显示技术驱动面板的核心器件,具备了巨大......
研究了ａ－ＳｉＮ：Ｈ的退火行为及其作为栅介质使用时，退火对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ工作特性和可靠性的影响．实验事实表明，在３８０℃以下的退火处理使ａ－ＳｉＮ：Ｈ介电常数的变化呈单调上升......
近年来,有机薄膜场效应晶体管成为人们研究的热点。本论文利用真空生长系统和自行制备的水平汽相生长系统生长出质量较好的并五苯......
氮化硅薄膜具有优良的光电性能、机械性能以及强的阻挡杂质粒子扩散和水汽渗透等优点,在光电子学和微电子学领域中有着越来越广泛......
以NH3和siH4为反应源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（p-Si）衬底上沉积了一系列SiN薄膜，并利用椭圆偏振测厚......
介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比......
期刊
影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的......
非晶氢化氮化硅（a-SiNx：H，简称氮化硅）薄膜具有优良的物理性能和光电性能，在微电子学、光电子学及太阳能电池等领域有广泛的应用，特别是......
近年来有机场效应晶体管（OFETs）因其具有成本低廉、适于低温加工制备、成膜工艺简单、适宜于柔性衬底兼容和大面积、大尺寸制造等明......
栅绝缘层的表面性质对有机场效应晶体管(OFETs)的半导体薄膜的形貌、晶粒生长的有序性和载流子的传输有着重大的影响.研究表明,通......
