【摘 要】
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采用双心键理论计算 Si(111)表面上顶位吸附 H、O、F和Cl原子的键长、电荷分配、力常数和局域振动频率,同时用自治键轨道方法计算价带的电子结构,其结果与ab initio和CNDO理
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 北京,北京
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采用双心键理论计算 Si(111)表面上顶位吸附 H、O、F和Cl原子的键长、电荷分配、力常数和局域振动频率,同时用自治键轨道方法计算价带的电子结构,其结果与ab initio和CNDO理论方法得出的基本一致,同O和Cl原子吸附的实验数据也大致相符,从而表明双心键理论可用于顶位原子吸附的研究.
The double bond theory was used to calculate the bond length, charge distribution, force constant and local vibrational frequencies of H, O, F and Cl atoms adsorbed on the top surface of Si (111) surface. At the same time, the electronic structure of valence band The results are in good agreement with the ab initio and CNDO theoretical methods. The results are in good agreement with the experimental data of atomic adsorption of O and Cl, which shows that the double bond theory can be used for the study of top-level atomic adsorption.
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